mos管电源开关

　　NCE55H12采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。可以在电源开关，硬开关，高频电路以及不间断电源供应。

　　mos管电源开关一般特征：

　　VDS=55V,ID=120A

　　RDS(ON)<5.5mΩ@vg=10v(Typ:4.1mΩ)

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　mos管电源开关参数：

　　品牌：NCE新节能

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：55V

　　连续漏极电流（最大）：120A

　　功率耗散（最大）：200W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：4.1mΩ

　　封装：TO220

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：