mos管增强型NCE1216

　　产品型号：NCE1216

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：P沟道增强型功率MOSFET

　　Vds-漏源极击穿电压：-12V

　　Id-连续漏极电流：-16A

　　Pd-功率耗散：18W

　　Vgs-栅源极击穿电压：12V

　　RdsOn@4.5V-漏源导通电阻：11.5mΩ

　　封装：DFN2X26L

　　一般特征：

　　VDS=-12V,ID=-16A

　　RDS(ON)<22mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<18mΩ@vg=-4.5v

　　先进的沟槽MOSFET工艺技术

　　极低导通电阻，低栅电荷

　　应用领域:

　　PWM应用

　　负载开关

　　手机电池充电器

　　引脚图:

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：