NCE0110AS中压mosfet

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

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  NCE0110AS采用先进的沟槽技术和设计,提供了极好的RDS(ON)与低闸门充电。它可以用于各种各样的应用。



  一般特征:

  VDS=100V,ID=10A

  RDS(ON)<17mΩ@vg=10v(Typ:14mΩ)

  特殊工艺,具有高ESD能力

  高密度电池设计超低Rdson

  充分描述雪崩电压和电流



  应用程序:

  直流/直流主侧开关

  电信/服务器

  同步整流



  绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:100V

  栅源电压:±20V

  漏极电流连续:10

  漏极电流连续(TC=100℃):7

  脉冲漏极电流:70

  最大功耗:3.1W

  操作结和存储温度范围:-55-150℃



  包装信息:

型号/规格

NCE0110AS

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

SOP-8 top view

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装