NCE3401Y报价

　　技术参数：

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：P沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：-30V

　　连续漏极电流（最大）：-4.2A

　　功率耗散（最大）：1.2W

　　栅源极击穿电压：12V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：47mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：56mΩ

　　封装：SOT23-3L

　　应用程序：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　电源管理

　　典型应用电路图：