MOS功率场有效应晶体管NCE4060K

MOS功率场有效应晶体管NCE4060K

　　MOS功率场有效应晶体管NCE4060K产品参数：

　　NCE4060K一般特征

　　VDS=40v，ID=60

　　RDS(ON)<13mΩ@vg=10v

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　良好的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　MOS功率场有效应晶体管NCE4060K一般特征：

　　VDS=40V,ID=60A

　　RDS(ON)<13mΩ@vg=10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　MOS功率场有效应晶体管NCE4060K应用程序：

　　负荷开关

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：