低栅极电荷mos管

　　低栅极电荷mos管NCE3080KA采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。

　　低栅极电荷mos管一般特征：

　　VDS=30V,ID=80A

　　RDS(ON)<6.5mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<10mΩ@vg=5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　低栅极电荷mos管参数：

　　产品型号：NCE3080KA

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：30V

　　连续漏极电流（最大）：80A

　　功率耗散（最大）：83W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：5.5mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：7.5mΩ

　　封装：TO-252

　　低栅极电荷mos管应用领域：

　　电源开关的应用

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源供应

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：