MOS管NCE55P15

　　NCE55P15采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　VDS=-55V,ID=-15A

　　RDS(ON)<75mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　直流-直流转换器

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-55v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：-15a

　　漏电流连续(TC=100℃)：-10a

　　脉冲漏电流：-50a

　　最大功耗：45W

　　工作结和储存温度范围：-55~175℃

　　测试电路: