中低压场效应MOS管NCE65T360I 新洁能

　　NCE4015S采用了先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低栅充电。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　VDS=40v,ID=15

　　RDS(ON)<10mΩ@vg=10v(Typ6.1mΩ)

　　RDS(ON)<15mΩ@vg=4.5v(Typ11.4mΩ)

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述了雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　良好的散热包装

　　专业的静电放电处理技术

　　应用程序：

　　负荷开关

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：40v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：15a

　　漏电流连续(TC=100℃)：10.6A

　　脉冲漏电流：70a

　　最大功耗：3.1W

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

　　测试电路：