MOS管NCE01P18

　　NCE01P18采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　MOS管NCE01P18参数：

　　产品型号：NCE01P18

　　品牌：新洁能（NCE）

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：18A

　　漏源电压（Vdss）：100V

　　栅源极阈值电压（最大值）：3V@250uA

　　漏源导通电阻（最大值）：100mΩ@16A，10V

　　类型：P沟道

　　功率耗散（最大值）：70W

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源极击穿电压（最大）：-100V

　　连续漏极电流（最大）：-18A

　　功率耗散（最大）：70W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：85mΩ

　　封装：TO252

　　MOS管NCE01P18包装信息：