N沟道大功率MOSFET管NCE3060G

地区:广东 深圳
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  N沟道大功率MOSFET管NCE3060G采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的低栅充电RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。


  一般特征:

  VDS=30v,ID=60

  RDS(ON)<4.0mΩ@vg=10v

  RDS(ON)<5.5mΩ@vg=4.5v

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  优异的散热包装

  专业的工艺技术,高ESD能力



  应用程序:

  电源开关应用

  硬开关高频电路

  不间断电源



  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:30v

  栅源电压:±20v

  漏电流连续:60a

  漏电流连续(TC=100℃):47a

  脉冲漏电流:200a

  最大功耗:60w

  降额因子:0.5W/℃

  工作结和储存温度范围:-55~150℃



  誉辉天成电子有限公司以TI为主线,ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线,所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业,合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业,亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队,长期关注电子产业的最新动态与价格变化,与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系,与国内着名设计厂商达成合作,授权代理。同时快速响应新老客户需求,企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统,高效快速整合公司的资源,为客户带来星级服务。

型号/规格

NCE3060G

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

DFN5X6-8L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装