N沟道增强型功率MOSFET NCE8205B新洁能

N沟道增强型功率MOSFET

　　产品型号：NCE8205B

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：20V

　　连续漏极电流（最大）：6.5A

　　功率耗散（最大）：1.5W

　　栅源极击穿电压：12V

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：15mΩ

　　封装：TSSOP8

　　引脚图：

　　应用领域：

　　电池保护

　　负荷开关

　　电源管理

　　典型效率曲线：

　　一般特征：

　　VDS=20V,ID=6.5A

　　RDS(ON)<27mΩ@vg=2.5v

　　RDS(ON)<22mΩ@vg=4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包