双mosfet

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

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  NCE7580采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。该装置适用于PWM、负载开关和一般应用场合。



  双mosfet特点:

  VDS=75v;ID=80a@vg=10v;

  RDS(ON)<8mΩ@vg=10v

  特殊工艺,具有高ESD能力

  特别为转换器和功率控制而设计

  高密度电池设计超低Rdson

  充分描述雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  良好的散热包装



  应用程序:

  功率切换应用程序

  硬开关和高频电路

  不间断电源



  绝对最大额定值(TC=25℃):

  漏源电压(vg=0V):75V

  栅源电压(VDS=0V):±25V

  漏极电流在Tc=25℃(DC):80A

  漏极电流(直流)Tc=100℃:60A

  漏极电流连续@电流脉冲:320A

  恢复二极管峰值电压:30V/ns

  最大功耗(Tc=25℃):170W

  降额因子:1.13W/℃

  单脉冲雪崩能量:580mJ

  操作结和存储温度范围:-55-175℃



  热特性:

型号/规格

NCE7580

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-220-3L top view

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装