双mosfet

　　NCE7580采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。该装置适用于PWM、负载开关和一般应用场合。

　　双mosfet特点：

　　VDS=75v;ID=80a@vg=10v;

　　RDS(ON)<8mΩ@vg=10v

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　特别为转换器和功率控制而设计

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　良好的散热包装

　　应用程序：

　　功率切换应用程序

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃)：

　　漏源电压(vg=0V)：75V

　　栅源电压(VDS=0V)：±25V

　　漏极电流在Tc=25℃(DC)：80A

　　漏极电流(直流)Tc=100℃：60A

　　漏极电流连续@电流脉冲:320A

　　恢复二极管峰值电压：30V/ns

　　最大功耗(Tc=25℃)：170W

　　降额因子：1.13W/℃

　　单脉冲雪崩能量：580mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　热特性：