P沟道增强型功率MOSFET NCE60PD05S

　　nce60pd05采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　VDS=-60v,ID=5

　　RDS(ON)<50mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　直流-直流转换器

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-60V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：5A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-3.5A

　　脉冲漏极电流：-30A

　　最大功耗：3W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　电气特性(TA=25℃，除非另有说明)：