中低压场效应管MOS管

　　中低压场效应管MOS管NCE3416采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，低栅极充电和低1.8V的栅极电压操作。该装置适用于负载开关或PWM应用场合，对静电放电有一定的抑制作用。

　　一般特征:

　　VDS=20V,ID=6.5A

　　RDS(ON)<40mΩ@vg=1.8v

　　RDS(ON)<33mΩ@vg=2.5v

　　RDS(ON)<27mΩ@vg=4.5v

　　ESD等级：2000VHBM

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：6.5A

　　漏极电流脉冲：30A

　　最大功耗：1.4W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　包装信息：