P沟道MOS NCE3417新洁能

　　NCE2321A采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低2.5V的栅电压操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。

　　一般特征：

　　VDS=-20V,ID=-4.5A

　　RDS(ON)<70mΩ@vg=-1.8v

　　RDS(ON)<50mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<40mΩ@vg=-4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　PA开关

　　负荷开关

　　电源管理

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：-4.5A

　　漏极电流脉冲(注1)：-20A

　　最大功耗：1.7W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　电气特性(TA=25℃，除非另有说明)：