NCE0208KA 耗尽型mosfet

耗尽型mosfet NCE0208KA采用先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

耗尽型mosfet一般特征：

VDS=200V,ID=8A

RDS(ON)<300mΩ@VGS=10V(类型：260mΩ)

高密度电池设计超低Rdson

充分描述雪崩电压和电流

低浇口排荷，降低开关损耗

耗尽型mosfet应用程序：

功率切换应用程序

硬开关和高频电路

不间断电源

绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

漏源极电压：200V

栅源电压：±20v

漏电流连续：8a

漏电流连续(TC=100℃)：5.6A

脉冲漏电流：20a

最大功耗：55W

工作结和储存温度范围：-55~150℃

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