mos管封装SOT23 NCE6003Y

　　NCE6003Y采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。

　　产品型号：NCE6003Y

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：60V

　　连续漏极电流（最大）：3A

　　功率耗散（最大）：1.7W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：78mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：95mΩ

　　封装：SOT23-3L

　　一般特征:

　　VDS=60V,ID=3A

　　RDS(ON)<105mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<125mΩ@vg=4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　引脚图:

　　应用领域：

　　电池开关

　　直流/直流转换器

　　典型效率曲线:

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