mosfet管厂家

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

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  NCE3025Q采用先进的沟槽技术,并具有出色的通导电阻能力和低栅极电荷。NCE3025Q具有非常广的应用范围。



  mosfet管一般特征:

  VDS=30V,ID=25A

  RDS(ON)<10mΩ@vg=10v

  RDS(ON)<14mΩ@vg=4.5v

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  优异的散热包装

  特殊工艺,具有高ESD能力



    mosfet管参数:

  产品型号:NCE3025Q

  产品种类:MOSFET

  产品特性:N沟道增强型功率MOSFET

  Vds-漏源极击穿电压:30V

  Id-连续漏极电流:25A

  Pd-功率耗散:25W

  Vgs-栅源极击穿电压:20V

  RdsOn@10V-漏源导通电阻:7mΩ

  RdsOn@4.5V-漏源导通电阻:10.5mΩ

  封装:DFN3X38L



  引脚图/引脚功能:


  mosfet管应用领域:

  SMPS和常规应用

  硬开关和高频电路

  持续电源供应



  辉天成电子有限公司以TI为主线,ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线,所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业,合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业,亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队,长期关注电子产业的最新动态与价格变化,与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系,与国内着名设计厂商达成合作,授权代理。同时快速响应新老客户需求,企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统,高效快速整合公司的资源,为客户带来星级服务。

型号/规格

NCE3025Q

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

DFN3X3-8L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装