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产品属性
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NCE3025Q采用先进的沟槽技术,并具有出色的通导电阻能力和低栅极电荷。NCE3025Q具有非常广的应用范围。
mosfet管一般特征:
VDS=30V,ID=25A
RDS(ON)<10mΩ@vg=10v
RDS(ON)<14mΩ@vg=4.5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好,均匀性好,EAS高
优异的散热包装
特殊工艺,具有高ESD能力
mosfet管参数:
产品型号:NCE3025Q
产品种类:MOSFET
产品特性:N沟道增强型功率MOSFET
Vds-漏源极击穿电压:30V
Id-连续漏极电流:25A
Pd-功率耗散:25W
Vgs-栅源极击穿电压:20V
RdsOn@10V-漏源导通电阻:7mΩ
RdsOn@4.5V-漏源导通电阻:10.5mΩ
封装:DFN3X38L
引脚图/引脚功能:
mosfet管应用领域:
SMPS和常规应用
硬开关和高频电路
持续电源供应
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NCE3025Q
NCE新洁能
DFN3X3-8L
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装