晶体场效应管型号NCE3035K

　　晶体场效应管型号NCE3035K采用了先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　vds=30V,ID=35A

　　rds(ON)<15mΩ@VGS=10V

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS值高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30V

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：35a

　　漏电流连续(TC=100℃)：35a

　　脉冲漏电流：24.8A

　　最大功耗：45W

　　降额因子：0.36W/℃

　　单脉冲雪崩能量：225mj

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：