NCE60P20K报价

　　NCE60P20K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　NCE60P20K一般特征：

　　VDS=-60v,ID=-20

　　RDS(ON)<42mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　NCE60P20K应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　NCE60P20K封装：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-60V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-20

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-14.1

　　脉冲漏极电流：80

　　最大功耗：60W

　　降额因子：0.4W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：100mj

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　NCE60P20K测试电路: