NCE3415场效应MOS管

　　NCE3415场效应MOS管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，低栅极充电和低1.8v的栅极电压操作。该装置适用于负载开关或PWM应用场合，对静电放电有一定的抑制作用。

　　一般特征：

　　VDS=-20V,ID=-4A

　　RDS(ON)<60mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<45mΩ@vg=-4.5v

　　ESD等级：2500VHBM

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-20V

　　栅源电压：±10V

　　漏极电流连续：4

　　漏极电流脉冲(注1)：-30

　　最大功耗：1.4W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　包装信息：