SMMBTA56LT1G 晶体管 ON

SMMBTA56LT1G

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS DR XSTR SPCL TR

SMMBTA56LT1G Features

• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

SMMBTA56LT1G MAXIMUM RATINGS  

Rating Symbol Value Unit  Collector−Emitter Voltage  MMBTA55  MMBTA56, SMMBTA56  VCEO  −60  −80  Vdc  Collector−Base Voltage  MMBTA55  MMBTA56, SMMBTA56  VCBO  −60  −80  Vdc  Emitter−Base Voltage VEBO −4.0 Vdc  Collector Current − Continuous IC −500 mAdc

型号: SMMBTA56LT1G

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-3 

晶体管极性: PNP 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 80 V 

集电极—基极电压 VCBO: - 80 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: - 4 V 

集电极—射极饱和电压: - 0.25 V 

最大直流电集电极电流: - 500 mA 

增益带宽产品fT: 50 MHz 

最小工作温度: - 55 ℃ 

最大工作温度: + 150 ℃ 

系列: MMBTA56L 

封装: Cut Tape  

封装: Reel  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: - 500 mA  

CNHTS: 8541210000  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 100  

HTS Code: 8541210095  

MXHTS: 85412101  

Pd-功率耗散: 300 mW  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

资格: AEC-Q101  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

TARIC: 8541210000  

单位重量: 8 mg