2SC4081T106R 双极晶体管

2SC4081T106R

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A SOT-323 General purpose small signal amplifier

Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  2SC4081T106R

Parameter Symbol Values Unit  Collector-base voltage VCBO 60 V  Collector-emitter voltage VCEO 50 V  Emitter-base voltage VEBO 7 V  Collector current  IC 150 mA  ICP  *1 200 mA  Power dissipation  2SC5658  PD  *2  150  mW  2SC4617EB 150  2SC4617 150  2SC4081UB 200  2SC4081 200  2SC2412K 200  Junction temperature Tj 150 ℃  Range of storage temperature Tstg -55 to +150 ℃

Electrical characteristics (Ta = 25°C)  2SC4081T106R

Parameter Symbol Conditions  Values  Unit  Min. Typ. Max.  Collector-base breakdown  voltage  BVCBO IC = 50μA 60 - - V  Collector-emitter breakdown  voltage  BVCEO IC = 1mA 50 - - V  Emitter-base breakdown voltage BVEBO IE = 50μA 7 - - V  Collector cut-off current ICBO VCB = 60V - - 100 nA  Emitter cut-off current IEBO VEB = 7V - - 100 nA  Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC = 50mA, IB = 5mA - - 400 mV  DC current gain hFE VCE = 6V, IC = 1mA 120 - 560 -  Transition frequency fT  VCE = 12V, IE = -2mA,  f = 100MHz  - 180 - MHz  Output capacitance Cob  VCB = 12V, IE = 0A,  f = 1MHz  - 2.0 3.5 pF

型号: 2SC4081T106R

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-323-3 

晶体管极性: NPN 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V 

集电极—基极电压 VCBO: 60 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V 

最大直流电集电极电流: 0.15 A 

增益带宽产品fT: 180 MHz 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

系列: 2SC4081 

直流电流增益 hFE 最大值: 560  

高度: 0.8 mm  

长度: 2 mm  

封装: Cut Tape  

封装: Reel  

宽度: 1.25 mm  

商标: ROHM Semiconductor  

集电极连续电流: 0.15 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 120  

Pd-功率耗散: 200 mW (1/5 W)  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 5 mg