UMB11NTN 双极晶体管 - 预偏置

UMB11NTN

双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 50MA SOT363

General purpose (dual digital transistors)

Features UMB11NTN

1)Two DTA114E chips in a EMT or UMT or

SMT package.

2)Mounting possible with EMT3 or UMT3 or

SMT3 automatic mounting machines.

3)Transistor elements are independent,

eliminating interference.

4)Mounting cost and area can be cut in half

Application UMB11NTN

INVERTER, INTERFACE, DRIVER

型号: UMB11NTN

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置 

RoHS: 无铅环保 

配置: Dual 

晶体管极性: PNP 

典型输入电阻器: 10 kOhms 

典型电阻器比率: 1 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: UMT-6 

直流集电极/Base Gain hfe Min: 20 

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 50 V 

集电极连续电流: - 100 mA 

峰值直流集电极电流: 100 mA 

Pd-功率耗散: 150 mW 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

系列: UMB11N 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

直流电流增益 hFE 最大值: 30  

高度: 0.9 mm  

长度: 2 mm  

宽度: 1.25 mm  

商标: ROHM Semiconductor  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

零件号别名: UMB11N  

单位重量: 32 mg

Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  

<For DTr1 and DTr2 in common>  

Parameter Symbol Values Unit  Supply voltage VCC -50 V  Input voltage VIN -40 to 10 V  Output current IO -50 mA  Collector current IC(MAX)  *1  -100 mA  Power dissipation  EMB11 PD  *2*3 150  UMB11N PD mW/Total  *2*3 150  IMB11A PD  *2*4 300  Junction temperature Tj 150 ℃  Range of storage temperature Tstg -55 to +150 ℃