NJVNJD2873T4G 双极晶体管 ON

NJVNJD2873T4G

Power Transistors NPN Silicon DPAK For Surface Mount  Applications NJVNJD2873T4G

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 2A/50V

NJVNJD2873T4G Features

• High DC Current Gain

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage

• High Current−Gain − Bandwidth Product

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

型号: NJVNJD2873T4G

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: DPAK-3 

晶体管极性: NPN 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V 

集电极—基极电压 VCBO: 50 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V 

集电极—射极饱和电压: 0.3 V 

增益带宽产品fT: 65 MHz 

最小工作温度: - 65 ℃ 

最大工作温度: + 175 ℃ 

系列: NJD2873 

直流电流增益 hFE 最大值: 360  

封装: Reel  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: 2 A  

CNHTS: 8541210000  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

Pd-功率耗散: 15 W  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

资格: AEC-Q101  

工厂包装数量: 2500  

子类别: Transistors  

TARIC: 8541290000  

单位重量: 2 g