UMH6NTR 双极晶体管 - 预偏置

地区:广东 深圳
认证:

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UMH6NTR

双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA


Features UMH6NTR

1)Two DTC144E chips in a EMT or UMT or

 SMT package.

2)Mounting possible with EMT3 or UMT3 or

 SMT3 automatic mounting machines.

3)Transistor elements are independent,

 eliminating interference.

4)Mounting cost and area can be cut in half.


Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) UMH6NTR

Parameter Symbol Values Unit

Supply voltage VCC 50 V

Input voltage VIN -10 to 40 V

Output current IO 30 mA

Collector current IC(MAX) *1 100 mA

Power dissipation

EMH6 PD *2*3 150

UMH6N PD *2*3 150 mW

IMH6A PD *2*4 300

Junction temperature Tj 150 ℃

Range of storage temperature Tstg -55 to +150 ℃

型号: UMH6NTR

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置 

RoHS:  无铅环保  

配置: Dual 

晶体管极性: NPN 

典型输入电阻器: 47 kOhms 

典型电阻器比率: 1 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: TUMT-6 

直流集电极/Base Gain hfe Min: 68 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V 

集电极连续电流: 30 mA 

峰值直流集电极电流: 100 mA 

Pd-功率耗散: 150 mW 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

系列: UMH6N 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 0.9 mm  

长度: 2 mm  

宽度: 1.25 mm  

商标: ROHM Semiconductor  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

零件号别名: UMH6N 


型号/规格

UMH6NTR

品牌/商标

ROHM(罗姆)

封装形式

TUMT-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

极性

NPN型

典型输入电阻器

: 47 kOhms

Pd-功率耗散

: 150 mW

峰值直流集电极电流

: 100 mA

集电极连续电流

: 30 mA