2SA1943N(S1,E,S) 双极晶体管

2SA1943N(S1,E,S)

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ

Bipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused Type

Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Tc = 25) 2SA1943N

Characteristics  Collector-base voltage  Collector-emitter voltage  Emitter-base voltage  Collector current (DC)  Base current  Collector power dissipation  Junction temperature  Storage temperature  (Note 1)  Symbol  VCBO  VCEO  VEBO  IC  IB  PC  Tj  Tstg  Rating  -230  -230  -5  -15  -1.5  150  150  -55 to 150  Unit  V  A  W  

Applications 2SA1943N

• Power Amplifiers

Features

(1) High collector voltage: VCEO = -230 V (min)

(2) Complementary to 2SC5200N

(3) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage

型号: 2SA1943N

制造商: Toshiba 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-3P-3 

晶体管极性: PNP 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 230 V 

集电极—基极电压 VCBO: - 230 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V 

集电极—射极饱和电压: - 1.1 V 

最大直流电集电极电流: - 15 A 

增益带宽产品fT: 30 MHz 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

系列: 2SA1943N 

直流电流增益 hFE 最大值: 160  

商标: Toshiba  

集电极连续电流: - 15 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 35  

Pd-功率耗散: 150 W  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 25  

子类别: Transistors  

单位重量: 7 g