SS8050DBU 双极晶体管 ON

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SS8050DBU

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/40V/1.5A

NPN Epitaxial Silicon Transistor


SS8050DBU Features

• 2 W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.

• Complimentary to SS8550

• Collector Current: IC = 1.5 A


SS8050DBU Absolute Maximum Ratings

Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.


型号: SS8050DBU

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-92-3 

晶体管极性: NPN 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 25 V 

集电极—基极电压 VCBO: 40 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 

集电极—射极饱和电压: 0.5 V 

最大直流电集电极电流: 1.5 A 

增益带宽产品fT: 100 MHz 

最小工作温度: - 65 ℃ 

最大工作温度: + 150 ℃ 

系列: SS8050 

直流电流增益 hFE 最大值: 300  

高度: 4.7 mm  

长度: 4.7 mm  

封装: Bulk  

宽度: 3.93 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

集电极连续电流: 1.5 A  

CNHTS: 8541210000  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 85  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

Pd-功率耗散: 1 W  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 10000  

子类别: Transistors  

TARIC: 8541290000  

零件号别名: SS8050DBU_NL  

单位重量: 179 mg


型号/规格

SS8050DBU

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

TO-92

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装

极性

NPN型

集电极—基极电压 VCBO

40 V

发射极 - 基极电压 VEBO

6 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

直流电集电极电流

1.5 A