2SAR522EBTL 双极晶体管

2SAR522EBTL

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP General Purpose Amplification Transistor

PNP -200mA -20V General purpose transistor

Features 2SAR522EBTL

1) General Purpose.

2) Complementary NPN Types:

2SCR522M (VMT3) / 2SCR522EB (EMT3F) /

2SCR522UB (UMT3F)

Application 2SAR522EBTL

GENERAL PURPOSE SMALL SIGNALAMPLIFIER

Electrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter Symbol Conditions Values 

Unit Min. Typ. Max.

Collector-base breakdown voltage

BVCBO IC = -50μA -20 - - V

Collector-emitter breakdown voltage

BVCEO IC = -1mA -20 - - V

Emitter-base breakdown voltage BVEBO IE = -50μA -5 - - V

Collector cut-off current ICBO VCB = -20V - - -100 nA

Emitter cut-off current IEBO VEB = -5V - - -100 nA

Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC = -100mA, IB = -10mA - -120 -300 mV

DC current gain hFE VCE = -2V, IC = -1mA 120 - 560 -

Transition frequency fT VCE = -10V, IE = 10mA, f = 100MHz - 350 - MHz

Output capacitance Cob VCB = -10V, IE = 0A, f = 1MHz - 3.0 - pF

型号: 2SAR522EBTL 

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-416FL-3 

晶体管极性: PNP 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 20 V 

集电极—基极电压 VCBO: - 20 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V 

集电极—射极饱和电压: - 120 mV 

最大直流电集电极电流: - 200 mA 

增益带宽产品fT: 350 MHz 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

系列: 2SAR522EB 

直流电流增益 hFE 最大值: 560  

封装: Cut Tape  

封装: Reel  

商标: ROHM Semiconductor  

集电极连续电流: - 200 mA  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 120  

Pd-功率耗散: 150 mW  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

零件号别名: 2SAR522EB  

单位重量: 6 mg