2SC2412KT146R 双极晶体管

2SC2412KT146R

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A General purpose small signal amplifier

Features 2SC2412KT146R

1)Low Cob.Cob=2.0pF(Typ.)

2)Complements the 2SA2029/

2SA1774EB/2SA1774/2SA1576UB/

2SA1576U3/2SA1037AK.

Application 2SC2412KT146R

GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL

AMPLIFIER

型号: 2SC2412KT146R

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SC-59-3 

晶体管极性: NPN 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V 

集电极—基极电压 VCBO: 60 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V 

最大直流电集电极电流: 0.15 A 

增益带宽产品fT: 180 MHz 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

系列: 2SC2412K 

直流电流增益 hFE 最大值: 560  

高度: 1.1 mm  

长度: 2.9 mm  

封装: Cut Tape  

封装: Reel  

宽度: 1.6 mm  

商标: ROHM Semiconductor  

集电极连续电流: 0.15 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 120  

Pd-功率耗散: 200 mW (1/5 W)  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 8 mg

lElectrical characteristics (Ta = 25°C)  

Parameter Symbol Conditions  Values  Unit  Min. Typ. Max.  Collector-base breakdown  voltage  BVCBO IC = 50μA 60 - - V  Collector-emitter breakdown  voltage  BVCEO IC = 1mA 50 - - V  Emitter-base breakdown voltage BVEBO IE = 50μA 7 - - V  Collector cut-off current ICBO VCB = 60V - - 100 nA  Emitter cut-off current IEBO VEB = 7V - - 100 nA  Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC = 50mA, IB = 5mA - - 400 mV  DC current gain hFE VCE = 6V, IC = 1mA 120 - 560 -  Transition frequency fT  VCE = 12V, IE = -2mA,  f = 100MHz  - 180 - MHz  Output capacitance Cob  VCB = 12V, IE = 0A,  f = 1MHz  - 2.0 3.5 pF