BUL49D 双极结型晶体管

地区:广东 深圳
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BUL49D

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw

High voltage fast-switching NPN power transistors


Description BUL49D

The devices are manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The devices are designed for use in electronic transformer for halogen lamps.


Features

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

■ High ruggedness


Applications

■ Electronic transformers for halogen lamps

■ Flyback and forward single transistor low power converters


型号: BUL49D

制造商: STMicroelectronics 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220-3 

晶体管极性: NPN 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 450 V 

集电极—基极电压 VCBO: 850 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V 

集电极—射极饱和电压: 1.2 V 

最大直流电集电极电流: 5 A 

最小工作温度: - 65 C 

最大工作温度: + 150 C 

系列: BUL49D 

高度: 9.15 mm (Max)  

长度: 10.4 mm (Max)  

封装: Tube  

宽度: 4.6 mm (Max)  

商标: STMicroelectronics  

集电极连续电流: 5 A  

Pd-功率耗散: 80 W  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 50  

子类别: Transistors  

单位重量: 6 g


型号/规格

BUL49D

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

Through Hole

极性

NPN型

集电极—基极电压 VCBO

: 850 V

发射极 - 基极电压 VEBO

: 10 V

工作温度

: - 65 C

工作温度

: + 150 C