DTB543EETL 双极晶体管

地区:广东 深圳
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DTB543EETL

双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR

-500mA/-12V Low VCE(sat) Digital transistor (with built-in resistor)


Features DTB543EETL

1)VCE(sat)

is lower than conventional products.

2)Built-in bias resistors enable the configuration

of an inverter circuit without connecting external

input resistors (see equivalent circuit).

3)The bias resistors consist of thin-film resistors

with complete isolation to allow positive

biasing of the input. They also have the

advantage.

of almost completely eliminating parasitic effects.


Application DTB543EETL

INVERTER, INTERFACE, DRIVER


型号: DTB543EETL 

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置 

RoHS:  无铅环保  

配置: Single 

晶体管极性: PNP 

典型输入电阻器: 4.7 kOhms 

典型电阻器比率: 1 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: EMT-3 

直流集电极/Base Gain hfe Min: 115 

最大工作频率: 260 MHz 

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 

集电极连续电流: - 500 mA 

峰值直流集电极电流: - 500 mA 

Pd-功率耗散: 150 mW 

最小工作温度: - 

最大工作温度: + 150 C 

系列: DTB543EE 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

发射极 - 基极电压 VEBO: -  

输出电压: - 60 mV  

商标: ROHM Semiconductor  

最大直流电集电极电流: - 500 mA  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

零件号别名: DTB543EE 


型号/规格

DTB543EETL

品牌/商标

ROHM(罗姆)

封装形式

EMT-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

极性

PNP型

典型输入电阻器

: 4.7 kOhms

Pd-功率耗散

: 150 mW

工作频率

: 260 MHz

集电极连续电流

: - 500 mA