TBC857B,LM 双极晶体管 Toshiba

TBC857B,LM

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJT PNP -0.15A -50V

Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, T  a = 25    )  TBC857B,LM

Characteristics  Collector-base voltage  Collector-emitter voltage  Emitter-base voltage  Collector current (DC)  Collector current (pulsed)  Base current  Collector power dissipation  Junction temperature  Storage temperature  (Note 1)  Symbol VCBO VCEO VEBO ICICPIBPCTj Tstg  Rating  -50  -50  -5  -150  -200  -30  320  150  -55 to 150  Unit VVV  mA  mA  mW

型号: TBC857B,LM

制造商: Toshiba 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-3 

晶体管极性: PNP 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 50 V 

集电极—基极电压 VCBO: - 50 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V 

集电极—射极饱和电压: - 220 mV 

最大直流电集电极电流: - 150 mA 

增益带宽产品fT: 80 MHz 

最大工作温度: + 150 C 

系列: TBC8X7 

封装: Cut Tape  

封装: Reel  

商标: Toshiba  

集电极连续电流: - 150 mA  

Pd-功率耗散: 320 mW  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 8 mg

Applications TBC857B,LM

• Low-Frequency Amplifiers