2SD1664T100R 双极晶体管

2SD1664T100R

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power Transistor (32V, 1A)

Features 2SD1664T100R

1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.15V (typical).

(IC /IB = 500mA/50mA)

2) Complements the

2SB1132 / 2SB1237.

Structure 2SD1664T100R

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

Electrical characteristics (Ta = 25C)

Packaging specifications and hFE

hFE values are classified as follows :

Electrical characteristic curves

Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

型号: 2SD1664T100R

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

安装风格: SMD/SMT 

晶体管极性: NPN 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 32 V 

集电极—基极电压 VCBO: 40 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V 

最大直流电集电极电流: 1 A 

增益带宽产品fT: 150 MHz 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

直流电流增益 hFE 最大值: 390  

高度: 1.5 mm  

长度: 4.5 mm  

封装: Cut Tape  

封装: Reel  

宽度: 2.5 mm  

商标: ROHM Semiconductor  

集电极连续电流: 1 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 82  

Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 1000  

子类别: Transistors  

单位重量: 130.500 mg