爱普生TFT-SRAM可在低电压下高速运行
日本精工爱普生公司(SeikoEpson)推出世界上首款TFT-SRAM(16Kb)，它的电源电压为3V至6V，访问时间短，它在柔...
日期：2007-12-05
Ramtron推出首款内嵌FRAM的MCU VRS51L3074
Ramtron发布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存储器的8051MCU-VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入于其高速灵活的Ve...
日期：2007-12-05
Ramtron扩展其智能动力传动应用存储器
RamtronInternationalCorporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA这款3V、4Kb并具...
日期：2007-12-05
三星推出256Mb Pseudo SRAM
三星最近宣布开发出了业界首款256Mb的PseudoSRAM，三星将其称作UtRAM，主要用于高性能移动产品(比如3G手机...
日期：2007-12-04
Elpida基于双栅晶体管的DRAM速率达1,333Mbps
ElpidaMemory日前推出新一代存储器，适用于如笔记本、台式电脑及服务器等计算机应用。其最新的512MbDDR3SDR...
日期：2007-12-04
Elpida的256Mb DDR2 SDRAM速率高达800Mbps
Elpida公司近日发布了面向高端PC市场设计的，工作速率高达800Mbps的256Mb DDR2 SDRAM的样品。这种DDR2 SDRA...
日期：2007-12-04
突破工艺障碍，联电45纳米SRAM芯片出炉！
台湾地区的晶圆代工厂商联电已突破关键的45纳米工艺障碍，生产出了位单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。...
日期：2007-12-04
Ramtron的FRAM存储器FM24CL16达到汽车电子AEC-Q100标准
员会针对集成电路而设的测试标准)的要求。Ramtron正积极实施多项计划来扩充符合AEC-Q100标准的FRAM产品系列...
日期：2007-12-04
海力士推新款手持装置用DRAM
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较...
日期：2007-12-04
美信推出业界款大容量、表贴、单片式NV SRAM模块
美信(Maxim Integrated Products)的全资子公司Dallas Semiconductor，推出业界款大容...
日期：2007-12-04
EDL5132CBMA:多片封装512Mb移动RAM
Elpida存储器公司推出高性能512Mb移动RAM存储器EDL5132CBMA,设计提供高容量和低功耗,用在手机上.512Mb的容...
日期：2007-12-03
Ramtron推出USB接口的Versa 8051MCU开发套件
非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron公司宣布：针对其公司的Versa8051微控制器...
日期：2007-12-03
Ramtron推出汽车级16Kb SPI接口FRAM器件
Ramtron International 公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存储器件FM25C160已经获得AEC-Q100标准 (汽车电子设备...
日期：2007-12-03
Ramtron的存储器FM25C160获得AEC-Q100标准
RamtronInternational公司宣布其16Kb、5V、SPIFRAM存储器FM25C160已经获得AEC-Q100标准认证(汽车电子设备委...
日期：2007-12-03
NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术
NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发，使用该工艺可以生产最大可集成256MbitD...
日期：2007-12-03
尔必达宣布量产70纳米制程DRAM芯片
据路透（Reuters）与BusinessWire报导，日本内存大厂尔必达（Elpida）正式宣布量产70纳米制程的DRAM，其中...
日期：2007-11-30
Freescale扩展MRAM的产品系列
嵌入式半导体设计和制造领域的Freescale半导体成功推出3伏4Mbit扩展温度范围（-40至+105C）非易失...
日期：2007-11-30
RAMTRON推出能直接替换标准工业级8051的产品VRS51L3174
非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推...
日期：2007-11-30
VB环境下对双端口RAM物理读写的实现
双端口RAM 内存直接映象 高速并行传输 DLL动态链接在集散型控制系统中，一般将计算机或工控机用于终端图文...
日期：2007-11-30
Ramtron推出+125度 FRAM存储器 FM25C160
Ramtron推出+125度 FRAM存储器 FM25C160，并符合Grade 1和AEC-Q100规范要求。该款5V 1...
日期：2007-11-30
Ramtron推出首款符合Grade 1汽车标准的Ramtron FRAM存储器
Ramtron推出首款+125℃FRAM存储器FM25C160，并符合Grade1和AEC-Q100规范要求。该款5V16Kb的串行SPI接口FRAM...
日期：2007-11-29
TI携手Ramtron合作将FRAM技术提升至130nm工艺
德州仪器公司和RamtronInternaTIonalCorporation宣布：在FRAM技术发展中的创新里程碑，针对FRAM存储器达成...
日期：2007-11-29
Ramtron推出4兆位非易失性FRAM存储器
RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品...
日期：2007-11-29
RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L307
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Internati...
日期：2007-11-29
Ramtron发布8051内核MCU，具40MIPS运行速度及丰富外设
RamtronInternational日前向全球发布其高速8051内核MCU——VRS51L2070。据称，达40MIPS的速度和诸如DSP计算...
日期：2007-11-28
RAMTRON的4兆位非易失性F-RAM存储器荣获EDN CHINA创新奖
RAMTRON宣布荣获业界知名的《电子设计技术》杂志EDNChina颁发2007年度创新奖之优秀产品奖。Ramtron的FM22L1...
日期：2007-11-28
瑞萨开发新技术，65nm嵌入式SRAM稳定运行
瑞萨科技(Renesas)公司日前宣布开发出一种有助于采用65nm制造工艺生产的SRAM(静态随机存取存储器)实现稳定...
日期：2007-11-28
ADI、Anagram和剑桥音响为标准CD播放器提供优美音响效果
美国模拟器件公司发布剑桥音响公司采用了安那葛兰科技公司的Q5™上采样专利技术和ADI公司的能够运行Q5...
日期：2007-11-28
RAMTRON宣布推出基于8051微控制器VRS51L3174
Ramtron International Corporation宣布推出VRS51L3174这款基于8051微控制器，带有8KB...
日期：2007-11-27
富士通两款2Mbit FRAM内存芯片上市
富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市，该产品号称为目前全球可量...
日期：2007-11-27
