RAMTRON的4兆位非易失性F-RAM存储器荣获EDN CHINA创新奖

　　RAMTRON宣布荣获业界的《电子设计技术》杂志EDN China颁发2007年度创新奖之产品奖。Ramtron的FM22L16产品是半导体行业首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存储器，获评委会及数以千计《电子设计技术》的读者选为数据IC与可编程逻辑类别的产品。

　　Ramtron亚太区域总监徐梦岚称：“我们非常高兴获得业界的《电子设计技术》杂志颁发的奖项。对于产品得到中国电子设计团体的认同，我们深感荣幸。这款4兆位F-RAM实现了技术的突破，将引领Ramtron与F-RAM进入新的创新应用中。中国设计工程师对FM22L16所作的投票，足以证明该产品的技术成果已获得公认。”

　　入围产品由《电子设计技术》的评审小组选出，该小组由来自中国各大OEM厂商、学术机构、高校及《电子设计技术》编辑部的业界和人士组成。而《电子设计技术》的读者参与投票选出得奖的产品。

　　关于FM22L16

　　FM22L16是密度的F-RAM产品，其容量是现有F-RAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并

行非易失性RAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。这款4Mb F-RAM与异步静态RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。

　　FM22L16是256K x 16的非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟” (NoDelay™) 写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14 (100万亿) 次写入和10年的数据保存能力。

　　4Mb F-RAM是标准异步SRAM的嵌入式替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时不需电池，从而显著提高部件与系统的可靠性。与需要电池支持的SRAM不同，FM22L16是真正的表面安装解决方案，无需电池连接的返修步骤，并且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特性。

　　FM22L16具有与现今高性能微处理器相连的工业标准并行接口，兼具高速页面模式，每秒80兆字节的峰值带宽，提供市场上快的非易失性存储器解决方案之一。该器件较标准SRAM具有更低的工作电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16在整个工业温度范围内 (-40℃至+85℃) 于2.7V至3.6V电压工作。

　　查询 FM22L16 及其它高密度 F-RAM 器件的更多详情，请访问网页：https://www.ramtron.com/highdensityFRAM/Default.asp。