爱普生TFT-SRAM可在低电压下高速运行

　　日本精工爱普生公司(Seiko Epson)推出世界上首款TFT-SRAM (16Kb)，它的电源电压为3V至6V，访问时间短，它在柔性基底上集成了感应放大器，每个单元包括六个晶体管，它可用作该公司异步8位微处理器ACT11的存储器。  

　　为了开发这款TFT-SRAM，爱普生将该存储器的所有电路模块集成到塑料基底的单芯片上，这样可使TFT-SRAM在低电压下高速运行。  

　　该公司一直致力于开发小型节能电子器件，现在开始注重薄而轻的柔性器件开发，新近开发的低温聚合硅技术采用薄膜成型技术和SUFTLA，可将TFT电路从玻璃基底转换到柔性基底上。  

　　爱普森希望该TFT-SRAM将被用作小而轻电子器件的关键元件。