IBM联手TDK研发大容量高密度MRAM磁阻芯片
IBM和TDK两公司宣布将携手研发大容量、高密度的MRAM，以推动MRAM（磁阻内存）的量产和...
日期：2007-11-19
Microchip倍增LCD PIC18微控制器闪存及RAM...
微控制器及仿真半导体供货商Microchip，在其八位PIC微控制器系列加入六款新成员，引入集成液晶体显示器(LCD...
日期：2007-11-19
RAMTRON扩展非易失性状态保存器系列 推出全新4位器件
非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其...
日期：2007-11-19
RAMTRON扩展VERSA 8051系列推出2KB铁电存储器MCU
非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Interna...
日期：2007-11-19
RAMTRON扩展VERSA 8051产品系列推出2KB铁电存储器微控制器
F-RAM和RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)--VRS51L3...
日期：2007-11-19
RAMTRON推出2兆位器件全面扩展高密度F-RAM产品系列
RAMtron推出2兆位(Mb)并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2...
日期：2007-11-19
FormFactor发表DRAM晶圆探针卡PH150XP
FormFactor发表PH150XP晶圆探针卡，扩展其PH150系列DRAM晶圆测试产品的阵容。PH150XP探针卡提供多项良率与...
日期：2007-11-16
Microchip倍增LCD PIC18微控制器闪存及RAM容量
微控制器及仿真半导体供货商Microchip，在其八位PIC微控制器系列加入六款新成员，引入集成液晶体显示器(LCD...
日期：2007-11-16
Ramtron推出2兆位并行存储器产品FM21L16
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出...
日期：2007-11-16
RAMTRON推出+125℃汽车铁电存储器，全面提升GRADE 1产品规范
非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Internatio...
日期：2007-11-16
fimicro将Ramtron F-RAM存储器用于fimic
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorpora...
日期：2007-11-16
FRAM使安全气囊系统更加智能化
汽车安全系统预期在未来几年变得更复杂。这一趋势的主要动力是预期规则将影响附加速率和安全气囊复杂性以及...
日期：2007-11-16
Ramtron发布业内首款非易失性状态保持器
非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Internatio...
日期：2007-11-16
Ramtron推出符合+125℃工作要求的串行FRAM器件
Ramtron推出新一款符合+125℃工作范围要求的串行FRAM器件。这款3V、64Kb的FRAM器件FM25CL64-GA具有高速串行...
日期：2007-11-16
Ramtron推针对智能动力传动应用的+125℃ F-RAM存储器
的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation...
日期：2007-11-15
海力士半导体DRAM产品获得 ISi存储技术授权
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位...
日期：2007-11-15
RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L307...
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Internati...
日期：2007-11-15
Ramtron推出4位非易失性状态保存器FM1110/2/4
非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation最近宣布扩展其...
日期：2007-11-15
Maxim推出I2C兼容安全NV SRAM控制器DS3605
Maxim Integrated Products推出DS3605 I2C兼容、安全、非易失(NV)SRAM控制器，内置篡...
日期：2007-11-14
飞思卡尔3伏4Mbit扩展温度范围非易失性RAM
飞思卡尔推出3伏4Mbit扩展温度范围（-40至+105度）非易失性RAM（nvRAM）产品，从而扩展了公司获奖的磁电阻...
日期：2007-11-14
MaximNV SRAM控制器DS3605用于安全交易终端
Maxim Integrated Products推出DS3605 I2C兼容、安全、非易失(NV)SRAM控制器，内置篡...
日期：2007-11-14
80C186XL嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案
摘要：介绍怎样在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制单元的基础上，利用CPLD技术和80C19...
日期：2007-11-14
浅谈PIC8位单片机中的RAM和汇编程序的关系
于Microchip推出的PIC系列8位单片机是朝着超小型、低功耗、低成本方向发展的，这些产品无功能堆积而以多品...
日期：2007-11-13
Elpida推出首款1GB容量70纳米DDR2 SDRAM芯片
日本存储芯片制造商Elpida储存公司日前宣布，公司已经开始大规模生产基于70纳米制造工艺的1GB和512MB储存容...
日期：2007-11-13
Ramtron的FRAM器件FM25C160获AEC-Q100用于智能气囊
RamtronInternational公司宣布其16Kb、5V、SPIFRAM存储器FM25C160已经获得AEC-Q100标准认证(汽车电子设备委...
日期：2007-11-13
ST推出DRAM内存模块标准专用温度传感器STTS424
ST推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标...
日期：2007-11-13
Ramtron推出64kb内嵌FRAM和RTC的增强型处理器外围芯片
RamtronInternational公司宣布：推出64Kb、3V内嵌铁电存储器的处理器外围芯片产品FM3130，在微型封装中结合...
日期：2007-11-12
Maxim推出DS3605 SRAM控制器
Maxim推出DS3605IC兼容、安全、非易失(NV)SRAM控制器，内置篡改检测。该NVSRAM控制器专为密钥安全性至关重...
日期：2007-11-12
3V、4Kb F-RAM存储器（Ramtron）
RamtronInternationalCORPORATION宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA这款3V、4Kb并具...
日期：2007-11-12
Ramtron 推针对智能动力传动应用的+125℃ F-RAM存储器
的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation...
日期：2007-11-10
