单向双端口SRAM的测试算法
引 言 单向双端口SRAM是一种专用的存储器，它具有独立的写地址总线和读地址总线，不仅可以实现单端口的...
日期：2007-11-10
Ramtron针对智能动力传动应用的4Kb F-RAM存储器
Ramtron宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RA...
日期：2007-11-09
赛普拉斯推出采用0.13微米SONOS制程生产的4-Mbit nvSRAM产品
赛普拉斯半导体公司（纽约交易所代码：CY）于近日推出了一款4-Mbit非易失性静态随机存...
日期：2007-10-31
基于DBL结构的嵌入式64kb SRAM的低功耗设计
摘要: 针对嵌入式系统的低功耗要求，采用位线分割结构和存储阵列分块译码结构，完成了64 kb低功耗SRAM模块...
日期：2007-10-30
基于SRAMDRAM的大容量FIFO的设计与实现
1引言FIFO(FirstInFirstOut)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高...
日期：2007-10-29
fimicro将Ramtron的4Mb F-RAM存储器用于智能I/O模块设计中
F-RAM和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应...
日期：2007-10-29
RAMTRON发布2KB铁电存储器微控制器
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推...
日期：2007-10-26
Ramtron 推出4兆位非易失性FRAM存储器
RamtronInternationalCorporation宣布推出业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器，其容量是原有最大FRAM存储器容量的...
日期：2007-10-22
瑞萨 推出可在32nm及以上工艺实现SRAM的技术
（RenesasTechnologyCorp.）宣布，开发出一种可在32nm（纳米）及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在...
日期：2007-10-22
Cypress推出0.13微米SONOS生产的4-Mbit nvSRAM
赛普拉斯推出了一款4-Mbit非易失性静态随机存储器（nvSRAM）产品。这款新器件产品的特色包括15 ns的快速存...
日期：2007-10-22
用CPLD和外部SRAM构成大容量FIFO的设计
摘要：对照一般通用FIFO的外部控制线，以及视频服务器应用的具体要求，设计完成用CPLD和外部SRAM构成的大容...
日期：2007-10-19
FRAM—单芯片存储技术
从事嵌入式系统的设计工程师通常会根据需要保存的内容来选择存储器类型。一个简单的区分办法就是在非易失性...
日期：2007-10-19
高速嵌入式视频系统中SDRAM时序控制分析
摘要：在高速数字视频系统设计中，SDRAM信号时序问题至关重要。本文在AVIA9700数字电视接收机方案基础上，...
日期：2007-10-19
ST推出DRAM内存模块标准专用温度传感器
意法半导体推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温...
日期：2007-10-10
RAMTRON发布2KB铁电存储器微控制器VRS51L3072
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推...
日期：2007-10-10
Adeneo提供微软 .NET Micro Framework软件工程服务
Adeneo公司在刚于美国东岸举行的嵌入式系统会议(EmbeddedSystemsConferenceEast)上展示了在爱特梅尔基于ARM...
日期：2007-10-09
Ramtron推出业界4兆位非易失性FRAM存储器
非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体...
日期：2007-10-08
RamtronFRAM存储器具备4Mb容量
非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体...
日期：2007-10-08
RAMTRON 推出2KB铁电存储器微控制器
RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)--VRS51L3072。Ra...
日期：2007-10-08
意法半导体推出新的DRAM内存模块标准专用温度传感器
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（ST)推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新...
日期：2007-09-30
ST 推出DRAM内存模块标准专用温度传感器
意法半导体（ST)今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（D...
日期：2007-09-29
RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器
非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣...
日期：2007-09-29
RAMTRON推出2KB铁电微控制器 VRS51L3072
非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应Ramtron International Corporation宣布...
日期：2007-09-29
RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L3072
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布...
日期：2007-09-28
基于FPGA 的DDR SDRAM控制器在高速数据采集系统中应用
实现数据的高速大容量存储是数据采集系统中的一项关键技术。本设计采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成...
日期：2007-09-27
Ramtron将64Kb串行FRAM存储器升级至+125℃温度范围
Ramtron International Corporation扩展其FRAM Grade 1汽车产品系列，新增一款64Kb串行FRAM，可在 -40至 +1...
日期：2007-09-25
单片机SRAM工艺的FPGA加密应用
在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大...
日期：2007-09-25
基于单片机SRAM工艺的FPGA加密应用
在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大...
日期：2007-09-24
基于SRAM编程技术的PLD可重构电路结构设计
摘要：CPLD相对于FPGA更适合实现时序逻辑较少而组合逻辑相对复杂的功能，比如复杂的状态机和译码电路等。CP...
日期：2007-09-21
基于SRAM编程技术的PLD可重构电路结构设
摘要：CPLD相对于FPGA更适合实现时序逻辑较少而组合逻辑相对复杂的功能，比如复杂的状态机和译码电路等。CP...
日期：2007-09-21
