RAMTRON 推出2KB铁电存储器微控制器

时间:2007-10-08

  Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。

  F-RAM能够消除Flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及Flash/EEPROM延长的写入周期,从而简化设计流程。与Flash不同,F-RAM字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动,使用更为便捷。而且与Flash/EEPROM不同的是F-RAM能够无限次的读/写和快速写入数据。

  VRS51L3072将2KB F-RAM与完全集成的高性能系统级芯片 (System-on-chip)相结合,其特性包括40 MIPS单周期8051内核、同时具有ISP和IAP编程功能的64KB Flash、4KB SRAM、数字信号处理 (DSP) 扩展功能及稳健的数字外围设备。VRS51L3072在整个工业温度范围内以3.3V电压工作,是多种先进应用的理想嵌入式数据采集解决方案。

VRS51L3072 特点:

-    2KB F-RAM:2048 byte的真正非易失性RAM (无需电池/超级电容便可保存数据) 映射到VRS51L3072的XRAM存储器上,具有简单访问、快速读写和几乎无限读写寿命的特点。
-    40MHz、单周期8051处理器:这是市场上快速的8位处理器之一,其先进的内核可提供高达40 MIPS的吞吐量,并且与标准8051s指令兼容,以实现器件的顺畅转移。
-    带32位桶式移位器 (Barrel Shifter) 的MULT/ACCU/DIV单元:此硬件计算引擎在执行DSP操作时 (FIR过滤、传感器输出线性化、多字节算术运等),其性能显著优于8位处理器。并能在一个周期中执行16位有符号的乘法和32位加法,及在5个周期中执行16位有符号的除法。桶式移位器实现了逻辑/算法转换操作。
-    40MHz内部晶振:内部振荡器无需外部晶体振荡器,有助于降低系统成本。
-    USB-JTAG接口:用于快速的用户友好器件编程和实时的在线调试/仿真,无需昂贵的仿真器
-    带波特率 (Baud Rate) 发生器的双UART:这个通用异步接收器/发射器的工作速度为1.25 Mbps。每个UART均带有独立的具有20位分辨率的波特率发生器。
-    增强的SPI:串行外设接口的通信速度可以配置达20 Mbps,发送数据长度可在1到32位间调节。
-    PWC:两个脉宽计数器模块,提供先进的定时器控制功能,可简化事件间隔时间测试。
-    PWM:包含8个脉宽调制器,具有高达16位的可调节分辨率。每个PWM都有自己独立的定时器,并可以作为通用定时器使用。

  其他支持外设包括一个I²C接口、3个16位通用定时器/计数器连3个定时器捕捉输入口、1个看门狗定时器和共享16个中断矢量的49个中断源。

  现可提供VRS51L3072的工程样品,并采用符合RoHS标准的 64-QFN封装。




  
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