ST推出的DRAM内存模块标准专用温度传感器
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（纽约证券交易所：STM)今天推出两款高精度专用数...
日期：2007-11-27
RAMTRON扩展其非易失性状态保存器系列功能
非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布扩展其非易...
日期：2007-11-27
RAMTRON推出2兆位 （Mb） 并行存储器产品
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation推出2...
日期：2007-11-27
意法推出的DRAM内存模块标准专用温度传感器
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体(ST)日前推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，...
日期：2007-11-27
Osram新一代6引脚LED寿命超过50,000小时
Osram Opto Semiconductor公司推出的新款6引脚MultiLED器件的输出为上代产品的两到三...
日期：2007-11-26
Ramtron将64Kb串行FRAM存储器升级至+125℃温...
非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Internatio...
日期：2007-11-26
OSRAM的10mm激光棒输出功率达150W
OSRAM公司新推出的激光棒输出功率高，可靠性强，能集成到不同封装中，特别适合输出固态激光和直接材料处理...
日期：2007-11-26
三星667Mbps DDR2 DRAM优化单核及双核处理器性能
三星电子的667Mbps双倍数据率2(DDR2)DRAM存储器带宽比目前市场上最快的主存储器还宽25%。这款667Mbps双倍数...
日期：2007-11-26
Hynix新款1Gb GDDR5绘图DRAM面向高清图像应用
海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.,)宣布推出1Gb GDDR5绘图DRAM，工作带宽为5Gbps，32位I/O通道，数据...
日期：2007-11-26
WEDC推出带锁相环的FBGA封装512MB DDR SDRAM
WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)推出FBGA封装、带锁相环(PLL)的非缓存512MBDDRSDRAM。这是一款2×32M×64...
日期：2007-11-26
Ramtron并行存储器FM21L16具备2Mb非易失性RAM
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Internati...
日期：2007-11-26
Ramtron扩展+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，推出新品FM25L04-GA
的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣...
日期：2007-11-26
ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM..
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为...
日期：2007-11-23
意法半导体推出大容量SRAM版微控制器uPSD3454E系列
uPSD3454E系列集成了市场领先的32kb的SRAM和256kb的闪存，以及USB2.0全速接口等外设接口。uPSD产品家族的三...
日期：2007-11-23
Osram推出车用LED 500mA时亮度达64lm
OsramOpto半导体公司新增一款GoldenDRAGON系列LED，专门用于汽车白天使用的灯光。这种表面封装的汽车LED不...
日期：2007-11-23
Ramtron推出首款内嵌非易失性FRAM的增强型MCU
RamtronInternational发布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存储器的8051MCU—VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入其...
日期：2007-11-22
RAMTRON宣布推出FM33x产品系列
Ramtron International Corporation宣布推出FM33x产品系列，这是带高速串行接口(SPI) 的全新FRAM-Enhanced?...
日期：2007-11-22
Ramtron推出首款内嵌非易失性FRAM的增强型MCU..
RamtronInternational日前发布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存储器的8051MCU—VRS51L3074。Ramtron将FRAM加...
日期：2007-11-22
奇梦达首推183兆赫DDR366—双数据速率同步移动RAM
创新存储产品企业奇梦达股份公司日前宣布推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM(DDR366)。这款全新的存...
日期：2007-11-22
北京芯技佳易公司发布高性价比的低功耗SRAM产品
北京芯技佳易微电子科技有限公司(GigaDeivce Semiconductor Inc.)的Terayon系列低功耗SRAM产品日前已经正式...
日期：2007-11-22
RAMTRON推出首款非易失性状态保持器
RAMTRON推出半导体行业首款非易失性状态保持器，这种新颖的器件可按要求保存信号状态，并在上电时自动恢复...
日期：2007-11-21
RAMTRON推出新型+125℃汽车铁电存储器
非易失性铁电随机存取存储器 (FRAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Internat...
日期：2007-11-21
Fujitsu新型2Mbit FRAM内存芯片供货上市
富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市，该产品号称为目前全球可量...
日期：2007-11-21
Ramtron宣布推出VRS51L3174这款基于8051微控制器
全球的非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation...
日期：2007-11-21
IBM展示具高稳定性的6GHz SRAM芯片组原型
IBM的科学家发布了一种比现有SRAM快两倍、能够达到6GHz以上速度的嵌入式SRAM芯片组原型。这种嵌入式SRAM用...
日期：2007-11-20
Ramtron推出USB接口的Versa 8051 MCU开发套件
非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corp...
日期：2007-11-20
美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片
美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上，面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新...
日期：2007-11-20
台积电称xbox360已采用90纳米dram芯片
8月19日消息，据外电报道，全球最大的芯片代工厂商台积电日前表示，微软已经开始在其Xbox360视频游戏机生产...
日期：2007-11-20
Corporation宣布推出半导体业界4兆位（Mb）FRAM存储器
Corporation宣布推出半导体业界4兆位(Mb)FRAM存储器，这是目前容量的FRAM产品，其容量...
日期：2007-11-20
海力士开发出高速小型移动终端用1GbDRAM
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度...
日期：2007-11-19
