ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM..

时间:2007-11-23
    Integrated Silicon Solution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDR DRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V,采用4M×32构成机制,刷新率为8K,传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量大的领域,如网络和通信设备、HDTV、LCD TV、机顶盒、硬盘驱动、汽车和其它消费电子应用等。

    IS43R32400A采用144引脚FBGA封装,工作温度为0℃~70℃,购买一万片以上单价是每片4.5美元。现在可以提供样品,批量生产交货需要到2006年第二季度。  


  
上一篇:Silicon Labs发布全集成单芯片GSM/GPRS手机方案
下一篇:研扬推出一款4个PCI扩展槽 Pentium-M无风扇工控机——AEC-6915

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

相关技术资料