瑞萨科技与松下开发可实现45nm工艺传统CMOS稳定工作的片上SRAM制造技术
瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.）与松下电器产业有限公司日前宣布，共同开发出一种可以使45nm工艺传...
日期：2007-12-13
Dallas实时时钟产品线新增DS32B35和DS32C35两款非易失FRAM存储器
MaximIntegratedProducts的全资子公司DallasSemiconductor的实时时钟(RTC)产品线新增了DS32B35(2kx8位)和DS...
日期：2007-12-13
瑞萨科技向EMT授权无电容器双晶体管RAM
全球领先的微控制器厂商瑞萨科技公司与全球领先的嵌入式存储器知识产权厂商EmergingMemoryTechnologies日前...
日期：2007-12-13
Ramtron推出VersaKit-20xx评估平台支持其8051 VRS51L2000系列
非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品供应商及开发商RamtronInternational日前宣布针对最新发布的高性...
日期：2007-12-12
赛灵思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解决方案
赛灵思(Xilinx)宣布，推出基于Virtex-4FPGA的667MbpsDDR2参考设计。据称，该参考设计提供了FPGA业界带宽最...
日期：2007-12-12
ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为...
日期：2007-12-12
利用FPGA解决TMS320C54K与SDRAM的接口问题
在DSP应用系统中，需要大量外扩存储器的情况经常遇到。例如，在数码相机和摄像机中，为了将现场拍摄的诸多...
日期：2007-12-12
飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载，每模块提供多达36个DRAM
飞利浦(Philips)日前针对高端服务器及先进计算的存储密集型应用，推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。该系列...
日期：2007-12-11
Hynix推出512M容量GDDR4 DRAM，每秒处理11.6GB数据
HynixSemiconductor公司日前宣布推出据称是世界上速度最快、密度最高的图形存储器——512Mb容量的第四代图...
日期：2007-12-11
美光面向低端手机推出新型低成本PSRAM
美光科技(MicronTechnology)近日推出一款新型存储设备，该产品专为低密度入门级移动电话而设计。据介绍，通...
日期：2007-12-11
赛普拉斯推出QDRII+和DDRII+ SRAM器件
赛普拉斯半导体公司推出业界首款四数据速率II+(QDRII+)和双数据速率II+(DDRII+)SRAM器件。这些存储器芯片是...
日期：2007-12-11
OSRAM推出2.7英寸180度视角OLED显示器 功耗仅0.05mW
OSRAM的OLED显示器新增一款2.7英寸128×64点阵显示器，使用寿命长达55,000小时。该显示器视角达180°，对比...
日期：2007-12-11
OSRAM新款LED适用于32-82英寸LCD背光照明
德国欧司朗光电半导体公司(OSRAMOptoSemiconductors)日前推出GoldenDragon系列的ARGUSLED，可用于32至82英...
日期：2007-12-11
赛普拉斯推出首款QDRII+/DDRII+ SRAM器件，带宽翻倍
赛普拉斯半导体公司(CYPRESSSemiconducot)推出业界首款四数据速率II+(QDRII+)和双数据速率II+(DDRII+)SRAM...
日期：2007-12-11
Ramtron高集成度混合信号MCU面向嵌入式数据采集应用
Ramtron公司日前宣布推出VersaMix8051系列(VMX51C1xxx)混合信号微控制器，这是单芯片的解决方案，可用于工...
日期：2007-12-11
Ramtron推出带有高速SPI接口512Kb3V非易失性FRAM
RamtronInternational公司宣布推出512Kb的3V非易失性FRAM器件--FM25L512，带有高速串行外设接口(SPI)。该款...
日期：2007-12-07
飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载 每模块提供多达36个DRAM
飞利浦(Philips)日前针对高端服务器及先进计算的存储密集型应用，推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。该系列...
日期：2007-12-07
W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（图）
White电子设计公司推出带PLL的2GBDDRSDRAM基于FBGA器件的存储器模块W3EG2128M72AFSR.该器件是基于512MbDDRS...
日期：2007-12-07
智原科技miniIP平台新增ROM与SRAM内存编译器
智原科技，ASIC设计服务暨IP研发销售厂商，日前宣布新增两个内存编译器(memorycompiler)到其广受欢迎的mini...
日期：2007-12-07
奇梦达推出首款183兆赫双数据速率同步移动RAM
奇梦达股份公司宣布推出首款183兆赫双数据速率同步移动RAM（DDR366）。这款全新的存储...
日期：2007-12-07
Ramtron International推出即插即用式开发系统VersaKit2000
世界顶尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品供应商及开发商RamtronInternational宣布针对最新发布...
日期：2007-12-07
Ramtron推出首款内嵌FRAM的增强型8051 MCU
世界顶尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品供应商RamtronInternational发布全球第一款嵌入了非易...
日期：2007-12-07
Dallas新型非易失性SRAM模块内置实时时钟
DallasSemiconductor近日推出内置实时时钟(RTC)、采用单芯片表贴封装的非易失性SRAM(NVSRAM)模块——DS3030...
日期：2007-12-07
Ramtron推出增强型处理器外围芯片
针对价格敏感的消费电子市场量身度做全新单芯片解决方案在微型封装中提供增强型RTC（实时时钟）功能Ramtron...
日期：2007-12-06
Ramtron的半兆位FRAM有助于满足仪表应用对存储容量的需求
非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品供应商RamtronInternational公司扩展了其串口存储器产品系列，推...
日期：2007-12-06
奇梦达推出DDR366移动RAM
奇梦达推出DDR366移动RAM——业界首款性能高达183兆赫的移动RAM，满足移动应用不断增...
日期：2007-12-06
支持Altera Stratix II的DDR2 SDRAM接口开始提供
Altera与NorthwestLogic宣布为Altera的高密度StratixII与StratixIIGXFPGA，提供经过硬件验证的667-MbpsDDR2...
日期：2007-12-06
赛普拉斯推出小型非易失性SRAM系列产品
赛普拉斯宣布推出首款非易失性SRAM（nvSRAM），该存储器在断电情况下，无需电池就能实...
日期：2007-12-05
三星开发出512M的DDR2 SDRam存储芯片
韩国电子巨头三星电子公司日前宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片...
日期：2007-12-05
精工爱普生的TFT-SRAM可在低电压下高速运行
日本精工爱普生公司(SeikoEpson)推出世界上首款TFT-SRAM(16Kb)，它的电源电压为3V至6V，访问时间短，它在柔...
日期：2007-12-05
