Elpida基于双栅晶体管的DRAM速率达1,333Mbps

　　Elpida Memory日前推出新一代存储器，适用于如笔记本、台式电脑及服务器等计算机应用。其的512Mb DDR3 SDRAM具有DDR2技术两倍的传输速率，高达1,333Mbps，同时具有较低的功耗。  


 　Elpida据称是业界采用双栅晶体管技术的DRAM制造商。采用双栅晶体管可通过在低电压下抑制泄漏电流来提高晶体管的性能，满足DDR3所需的比DDR2低的电压下的高速操作。DDR3 SDRAM的工作电压为1.5V，而DDR2为1.8V。 

    该产品具有输出缓存自动校准功能，因而对于变化的电压和温度可相应地控制系统的时序。EDJ5304AASE为512Mb DDR3 SDRAM，组织形式为16,777,216字×4位×8组；EDJ5308AASE为512Mb DDR3 SDRAM，组织形式为8,388,608字×8位×8组；EDJ5316AASE为512Mb DDR3 SDRAM，组织形式为4,194,304字×16位×8组。EDJ5304AASE和EDJ5308AASE采用78球FBGA封装，EDJ5316AASE采用96球FBGA封装。