凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器 LTC4442/-1
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1，该器件用来在同步...
日期：2007-11-28
Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4442/-1
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流...
日期：2007-11-28
Vishay功率MOSFET在1.2V栅源电压时导通电阻值额定
Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人...
日期：2007-11-27
Vishay功率MOSFET在1.2V栅源电压时导通电阻值额...
Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人...
日期：2007-11-27
Vishay新款功率MOSFET在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值
Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人...
日期：2007-11-27
Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω
Vishay的子公司Siliconixincorporated推出一系列新型-150V和-200VP沟道功率MOSFET，这些器件提供了面向有源...
日期：2007-11-26
飞兆N沟道MOSFET系列产品可提供90％的ESD性能
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护...
日期：2007-11-26
IR推出20V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出新款20VDirectFETMOSFET同步降转换器芯片组——IRF661...
日期：2007-11-26
满足开关电源要求的功率MOSFET
近年来，电源的输出电压越来越低、输出电流越来越大（某些电源系统输出几十安培到上百...
日期：2007-11-24
面向OR-ing应用的功率MOSFET（Vishay）
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供...
日期：2007-11-24
Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ
Vishay公司推出五款新型P通道负载开关，这些是业界首款能够以1.5V栅极驱动电压提供低导通电阻值的器件，而...
日期：2007-11-24
IR推出用于DC-DC降压转换的MOSFET芯片组
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出新型的DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组。新产品...
日期：2007-11-24
IR新型160A D2Pak MOSFET导通电阻低至3.8mΩ
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出一款新型160A额定电流、七引脚的IRF2907ZS-7PPbFMOSFE...
日期：2007-11-23
Vishay新款功率MOSFET提供1℃/W热阻..
VishayIntertechnology公司宣布推出2款功率MOSFET——SiE802DF和SiE800DF，其热阻均为1℃/W，封装的两面均...
日期：2007-11-23
飞兆半导体推出推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界...
日期：2007-11-23
IRMOSFET芯片组提升两相DC-DC降压转换器效率..
国际整流器公司(IR)近日推出两款新型30VHEXFET功率MOSFET，可将30V/45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的...
日期：2007-11-23
IRMOSFET芯片组提升两相DC-DC降压转换器效率
国际整流器公司(IR)近日推出两款新型30VHEXFET功率MOSFET，可将30V/45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的...
日期：2007-11-22
安森美半导体推出便携式应用的μCool功率MOSFET产品系列..
安森美半导体(ONSemiconductor)为了满足业界对更小型、更轻薄、更快速、更散热及更可靠的便携式应用MOSFET...
日期：2007-11-22
IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET..
国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适...
日期：2007-11-22
德州仪器推出4A高速MOSFET驱动器，有效简化电源设计
德州仪器(TI)推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器TPS28225。该款2MHz驱动器简化了大电...
日期：2007-11-22
Zetex新款MOSFET使D类音频放大器输出效率达90％..
ZetexSemiconductors日前推出ZXM N/P 7系列沟道MOSFET，提供D类输出级所需的高效率、...
日期：2007-11-22
Intersil的PWM控制器ISL6535集成了MOSFET..
Intersil公司近日推出ISL6535高性能PWM(脉宽调制)控制器。该器件在接近芯片级大小的4mm×4mm 16-引线QFN封...
日期：2007-11-22
瑞萨发布第二代集成驱动器MOSFET（DrMOS）
瑞萨科技发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）”实现CPU稳...
日期：2007-11-21
Microchip推出MCP1401及MCP1402单输出MOSFET驱动器
的单片机及模拟半导体供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布...
日期：2007-11-21
凌力尔特公司推出可驱动MOSFET双输出同步降压型DC/DC控制器LTC3850
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出效率为 95% 的双输出同步降压型开关稳压控制器 LTC3850...
日期：2007-11-20
飞兆半导体推出新系列高频光隔离MOSFET栅极驱动器
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)领先业界的功率产品系列又添新成员，宣布推出高频光隔离MOSFET栅极...
日期：2007-11-20
飞兆半导体推出全新的高效N沟道MOSFET系列
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达...
日期：2007-11-19
Microsemi推出工作电压为165V的射频功率MOSFET
Microsemi公司近期新推出一款适用于MRI、CO2激光器、RF等离子发生器以及宽带线性放大器的VHF频段射频功率MO...
日期：2007-11-19
Microchip推出MCP1401及MCP1402单输出MOSFET驱动器
的单片机及模拟半导体供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出MCP1401及MCP1402 ...
日期：2007-11-19
凌力尔特LTC4355用N沟道MOSFET取代肖特基二极管
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中...
日期：2007-11-16
