飞兆N沟道MOSFET系列产品可提供90％的ESD性能

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的架构。利用飞兆半导体的Power Trench工艺，这些低导通阻抗(RDS(ON)) MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下，系统依然安全。

    FDS881XNZ系列为设计师提供了多种选项，让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。FDS8812NZ(RDS(ON)=4mOhm)针对高端笔记本电脑应用，协助设计师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。FDS8813NZ(RDS(ON)=4.5mOhm)非常适合于15以上显示器的一体化笔记本电脑，而FDS8817NZ(RDS(ON)=7mOhm)则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想产品。

    FDS881XNZ系列的主要优点包括：

    低导通阻抗RDS(ON)解决方案，能提高工作效率，从而延长电池使用寿命。

    集成式ESD保护二极管(HBM)提供8kV ESD保护功能。

    坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，可耐受电压尖峰的冲击，避免输出端出现突变电压

    FDS881XNZ系列N沟道MOSFET系列采用业界标准SO8封装，是飞兆半导体广泛的电池用MOSFET产品系列的又一重要成员。

    FDS881x系列采用无铅(Pb-free)引脚，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC标准J-STD-020对无铅回流焊的要求，所有飞兆半导体产品设计均符合欧盟的有害物质限用指令(RoHS)。现可提供样品，交货期为收到订单后12周内。