面向OR-ing应用的功率MOSFET（Vishay）

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc. 推出三款面向 OR-ing 应用的功率 MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提高固定电信网络的效率。

　　在企业服务器网络中，OR-ing 功能可在主电源出现故障时接通冗余电源，以确保为系统持续供电。由于 MOSFET 承载来自正在运行的电源的整个负载，因此降低这些器件的功耗可极大降低能源成本。

　　日前推出的这三款 N 通道 MOSFET 具有 20V 漏极到源极与栅极到源极额定值，并且在 SO-8 占位面积中具有低　至 1.6 毫欧的导通电阻规格。与同类竞争器件相比，这些 Vishay Siliconix 功率 MOSFET 的导通电阻性能比市场上具有相同电压规格及封装类型的仅次之的器件低 36%。

　　设计人员将根据他们应用的具体电路及热要求，从日前推出的这三款 TrenchFET® 第二代器件中进行选择。

　　与采用 SO-8 封装的任何类似功率 MOSFET 相比，新型 Si4398DY的导通电阻低 36%，在 10V 时 rDS(on)额定值为 2.8 毫欧。除 OR-ing 应用外，Si4398DY还可用于低功耗整流、直流到直流以及负载点功率转换电路。 

对于低压电源，在采用 SO-8 封装的器件中，Si4398DY具有的 rDS(on)额定值。当功率增加时，采用热增强型封装的功率 MOSFET 可在相同占位面积中传导更多电流，从而可减少应用所需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中，这可实现通过 12V 的轨电压拓扑结构增加功率密度。

为在静止空气环境中实现散热效果，Vishay 正在推出采用热增强型 PowerPAK® SO-8 封装的Si7866ADP。Si7866ADP在 10V 时额定导通电阻值为 2.4 毫欧，该器件将低传导损耗与强大可靠的热性能进行了完美结合。结到外壳热阻为 1.5°C/W，而标准 SO-8 提供的结到脚（junction-to-foot）热阻为 16°C/W。除 OR-ing 外，其目标应用还包括台式机电脑中的同步降压转换器以及低输出电压同步整流。 

对于使用风冷装置的实施，先前推出的采用 PolarPAK® 封装的 SiE808DF（有两个散热通道，分别位于该器件的顶部与底部）具有比仅次之的采用双面冷却的器件低 20% 的导通电阻。在 10V 时，其超低的 rDS(on)额定值为 1.5 毫欧。 

目前，Si4398DY, Si7866ADP, 及SiE808DF的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 12～14 周。