IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET
国际整流器公司(InternationalRectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFETMOSFET。这些产品适用...
日期：2007-12-13
Zetex 推出三款N 沟道增强模式MOSFET
Zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET。这三款新产品分别为20V的ZXMN2B03E6（SOT236...
日期：2007-12-12
安森美推出小封装功率MOSFET 散热特性面向便携式产品
为了满足业界对更小巧轻薄、更快速、散热更好及性能更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求，安森美半导体(ONS...
日期：2007-12-12
IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出全新60、...
日期：2007-12-12
Vishay新款功率MOSFET提供1℃/W热阻
VishayIntertechnology公司宣布推出2款功率MOSFET——SiE802DF和SiE800DF，其热阻均为1℃/W，封装的两面均...
日期：2007-12-12
IR新型MOSFET器件符合IEEE802.3af，节省80％设计空间
国际整流器公司(IR)日前推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足...
日期：2007-12-12
Zetex新型低端自保护MOSFET增加诊断反馈功能
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors(捷特科)公司推出首款采用...
日期：2007-12-12
IR推出100V集成MOSFET解决方案为PoE应用节省80％的占位空间
世界功率管理技术领袖国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出IRF4000型100V器件。该器...
日期：2007-12-12
Zetex高压MOSFET面向预偏置电源 导通电阻达50Ω
ZetexSemiconductors近日推出一款可满足预偏置电源电路需求的新型高压MOSFET器件ZXMN0545G4。该产品是一种4...
日期：2007-12-12
意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L9
意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平...
日期：2007-12-12
微芯MOSFET驱动器具业界输出电流 达12A
微芯科技(MicrochipTechnology)日前推出TC4451(反相)和TC4452(同相)MOSFET驱动器。该产品适用于开关电源及...
日期：2007-12-12
Zetex的MOSFET面向预偏置电源电路
ZetexSemiconductors近日推出一款可满足预偏置电源电路需求的新型高压MOSFET器件ZXMN0545G4。该产品是一种4...
日期：2007-12-12
微芯的MOSFET驱动器输出达12A
微芯科技公司日前推出TC4451(反相)和TC4452(同相)MOSFET驱动器。该产品适用于开关电源及类似的高速、大电流...
日期：2007-12-12
IR带保护电路的小型车载功率MOSFET开始供货
日本国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)日前宣布，已经开始供应带保护电路的小型车载功率MOSF...
日期：2007-12-11
飞兆半导体推出新低导通阻抗600V SUPERFET MOSFET器件系列
飞兆半导体公司开发出新的低导通阻抗600VSuperFETMOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK...
日期：2007-12-11
飞兆推出80V N沟道MOSFET器件（图）
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器...
日期：2007-12-07
Zetex新型高压P沟道MOSFET实现更小的有源箝位
Zetex近日推出一系列新型200V额定P沟道MOSFET器件。新器件采用节省空间的SOT23和SOT223封装，极大地减少了...
日期：2007-12-07
凌力尔特推出电源电压 （100V） 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4...
日期：2007-12-06
IR推出针对高效率高性能放大器的D类音频DirectFET™ MOSFET（图）
功率管理领导厂商国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665...
日期：2007-12-06
意法微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效
意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的...
日期：2007-12-06
基于MOSFET控制的PWM型直流可调电源的研制
摘 要：由于仪器所用电源的体积和重量通常受到限制，为此提出一种由MOSFET控制，并且由高频变压器隔离的...
日期：2007-12-06
Linear推出100V高速同步N沟道3A MOSFET驱动器
Linear推出100V高速同步N沟道3AMOSFET驱动器（时间:2007-12-68:38:23来源：电子设计技术）凌力尔特推出高速...
日期：2007-12-06
凌力尔特公司推出高速、高输入电源电压（100V）同步MOSFET驱动器
2007 年12 月4 日，凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入...
日期：2007-12-06
IR推出新型低导电损耗的DirectFET MOSFET
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称为IR)近日推出一款新型60VDirectFET功率MOSFET－IRF6648。该...
日期：2007-12-06
英飞凌MOSFET节能器件OptiMOS3可提高能源效率1.3％
英飞凌科技日前在2006年全球电源系统展会(PowerSystemsWorld2006)上，发布应用于计算机、电信设备和消费电...
日期：2007-12-06
飞兆半导体发布11种新型小封装MicroFET MOSFET产品
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出11种新型MicroFET MOSFET产品，提供业界...
日期：2007-12-06
意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L
意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平...
日期：2007-12-06
飞兆扩充其低压MOSFET产品系列 推出11款新型器件
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩充其AEC-Q101的30V和40V MOSFET产品系列，...
日期：2007-12-06
Supertex公司推出MD1810和MD1811四路MOSFET驱动器
Supertex公司推出MD1810和MD1811四路MOSFET驱动器，适用于MOSFET驱动高容性负载应用，如超声波成像和基于CC...
日期：2007-12-05
TI推出效率4A高速MOSFET驱动器TPS28225
TI宣布推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应...
日期：2007-12-05
