飞兆推出80V N沟道MOSFET器件（图）

　　飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。

　　FDS3572提供7.5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS (on)级别的产品低38%。该器件的低Miller电荷加上低RDS (on) (16m)特性，其品质因数优值(Figure of Merit, FOM = RDS(on)×Qgd)为120。FDS3572的总门电荷在VGS =10V为31nC，有助于降低损秏；低QRR (70nC)也可降低反向恢复损耗；而且其EAS=515mJ的高雪崩性能，可以提高耐用性。这些产品特性再配合小体积的封装，使得FDS3572适合于要求严格的电源设计。

　　FDS3572开关特别适用于预稳压的高密度隔离全桥或半桥DC/DC转换器电路应用，也可适合初级应用，包括低压电信电源、DC/DC转换器、网络和数据通信电源、服务器和采用总线转换器拓扑，且支持中间母线结构(IBA)的调压模块(VRM)。在这些应用中，频率通常高达250KHz，而FDS3572极低的Miller电荷可实现快速切换，从而减少动态损耗；至于其超低门电荷则可通过减少驱动器/PWM控制IC的功耗来提高系统效率。

　　这种先进的器件还可用于同步整流器，以替代DC/DC转换器次边的传统高压肖特基整流器，输出电压为5V至52V。典型的产品应用包括：网络和数据通信DC/DC转换器，以及笔记本电脑的外部AC/DC适配器。FDS3572的低RDS(on)特性可将传导损耗控制在允许范围内，并提高笔记本电脑AC/DC适配器的功率密度。

　　订购1,000个FDS3572器件时，单价为1.18美元(仅供参考)，有现货供应，交货期为收到订单后8周内。