HF JFET 的偏置

　　结型场效应晶体管 (JFET) 通常需要向栅极端子施加一些反向偏置电压。
　　在 HF 和 UHF 应用中，通常使用源电阻器 Rs 两端的电压提供此偏置（图 1）。

　　图 1：JFET 通常需要在栅极端子上施加一些反向偏置，在 HF/UHF 应用中，这通常使用电阻器 Rs 两端的电压来提供。

 　除了明显缺乏效率之外，这种方法还有其他缺点：

　　漏极电流具有统计离散性，因此为了获得电流的目标值，需要进行一些电路调整。

　　漏极电流可能取决于温度或功率波动。

　　为了实现可接受的低源阻抗，必须使用多个电容器 Cs。

　　为了保持相同的净空，需要更高的电源电压。

　　缺乏与接地层的直接接触意味着晶体管的冷却效果较差，这对于电源应用至关重要。

　　图 2中的电路没有所有这些。它由一个控制环路组成，为n沟道JFET放大器产生负极性控制电压。

　　图 2：为 HF 和 UHF 应用中的 n 通道 JFET 放大器产生负极性控制电压的控制环路。

　　该电路使用自制光电耦合器中的两个红外LED IR333C（直径= 5 mm）。将两个这样的 LED 面对面放置在大约 12 毫米长的适当 PVC 管中，仅此而已。例如，其中一个器件可在 I led < 4 mA 时产生 0.81 V 电压，这对于 HEMT FHX35LG 来说已经足够了。

　　当然，如果需要更高的电压，可以简单地级联几个这样的设备。

　　环路中的主要放大由 JFET 本身执行。其值约为gm * R1，其中gm是Q1的跨导。

　　晶体管对 Q2 和 Q3 比较电阻器 R1 和 R2 上的电压降，使它们相等。因此，通过改变 R2:R3 的比率，您可以设置所需的工作点：

　　Id = Vdd * R2 / ((R2 + R3) * R1)

　　我们可以看到，漏极电流 (Id) 仍然取决于电源电压 (Vdd)。为了避免这种依赖性，我们可以用齐纳二极管代替电阻器R2，然后：

　　Id = Vz / R1